苏州纳米所纳米加工平台在β-Ga₂O₃ 垂直功率器件方面取得进展 超宽禁带半导体（UWBG）氧化镓（β-Ga2O3）作为战略性先进电子材料凭借其8 MV/cm优异的超高击穿场强以及独特的大尺寸熔体生长优势，正迅速崛起为后摩尔时代功率电子器件的颠覆性力量。垂直结构功率电子器件通过优化纵向耐压层设计，能够在单位芯片面积内同时实现 苏州 器件 纳米 苏州纳米 欧姆接触 2025-09-12 08:51 5